在功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史上，功率半導(dǎo)體可以分為三代：

　　第一代半導(dǎo)體材料：鍺、硅等單晶半導(dǎo)體材料，硅擁有1.1eV的禁帶寬度以及氧化后非常穩(wěn)定的特性。

　　第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵、銻化銦等化合物半導(dǎo)體材料，砷化鎵擁有1.4電子伏特的禁帶寬度以及比硅高五倍的電子遷移率。

　　第三代半導(dǎo)體材料：以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，有更高飽和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等突出優(yōu)點(diǎn)，適合大功率、高溫、高頻、抗輻照應(yīng)用場(chǎng)合。

　　第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，且其擁有體積小、污染少、運(yùn)行損耗低等經(jīng)濟(jì)和環(huán)保效益，因此第三代半導(dǎo)體材料正逐步成為發(fā)展的重心。當(dāng)前主流的第三代半導(dǎo)體材料為碳化硅與氮化硅，前者多用于高壓場(chǎng)合如智能電網(wǎng)、軌道交通；后者則在高頻領(lǐng)域有更大的應(yīng)用（5G等）。

　　碳化硅行業(yè)儼然已成為功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的新戰(zhàn)場(chǎng)。